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Erhöhung der Nukleationsdichte von Diamantfilmen durch Bias-Vorbehandlung


Project Details
Project duration: 01/199312/1994


Abstract
Ein wesentliches Problem der heutigen Diamanttechnologie ist die schlechte Nukleation von Diamant auf den meisten Substraten. Hohe Nukleationsdichten sind jedoch sowohl für optische (geringe Oberflächenrauhigkeit) als auch für elektronische Anwendungen (Heteroepitaxie) unumgänglich. Durch Anlegen einer negativen Substratspannung in der Anfangsphase der Abscheidung konnte die Nukleationsdichte um mehr als sechs Größenordnungen erhöht werden. Dies führte zur Entwicklung freitragender Diamantmembranen. Durch elektrische, oberflächenanalytische und gasphasencharakterisierende Messungen wird versucht, die elementaren Prozesse der Nukleation unter Bias-Bedingungen zu evaluieren. Dabei deutet sich an, daß die Nukleation von Diamant auf physikalischen Prozessen beruht, während das Diamantwachstum durch chemische Mechanismen bestimmt wird.

Last updated on 2017-11-07 at 14:02