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Trockenätzen von Indiumphosphid


Project Details


Abstract
Zur Entwicklung von optoelektronischen Bauelementen ist die Mikrostrukturierung von InP notwendig. Es wurde erstmals ausführlich das Ätzen von InP in Plasmen auf Basis von HBr untersucht. Durch Zugabe von Cl2 konnte die Dominanz von Wasserstoff im Prozeß kompensiert werden. Glatte Oberflächen ließen sich realisieren. Messungen mit dem SFM konnten keinen Unterschied zwischen geätzten und ungeätzten Oberflächen ausmachen.


Co-Investigators

Last updated on 2017-11-07 at 13:41