Project without external funding

Untersuchung der Bias-unterstützten Nukleation (BEN) von Diamant


Project Details
Project duration: 01/199501/1998


Abstract
Die Nukleationsdichte von Diamant auf Silizium, die normalerweise extrem gering ist, läßt sich bei der Mikrowellen-CVD durch Anlegen einer Spannung zwischen Substrat und Plasma um etwa sechs Größenordnungen erhöhen. Allerdings ist dieser Prozeß bislang weitgehend unverstanden; zu einer weiteren Optimierung ist jedoch eine Kenntnis der elementaren Mechanismen unerläßlich. Um diesem Ziel näher zu kommen, wurde die Abhängigkeit der Nukleationsdichte und der zu ihrer Erzielung erforderlichen Nukleationszeit von den wesentlichen Prozeßparametern ermittelt; des weiteren wurde eine Nukleationssequenz etabliert, die zeigt, daß sich zunächst eine Siliziumkarbidschicht und anschließend ein amorphes Kohlenwasserstoffpolymer bilden, bevor Diamant nukleiert. Gegenwärtig wird versucht, den Nukleationsprozeß mit Hilfe von Rastersondenmikroskopien im Nanometerbereich zu charakterisieren. Weitere Arbeiten zielen auf eine mögliche Anwendung des BEN-Prozesses zur Abscheidung von Diamantschichten auf Siliziumspitzen, die ihrerseits Anwendung in Rastersondenmikroskopien finden können.

Last updated on 2017-11-07 at 13:44