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Metalloxid-Sensorarchitektur mit kontrolliertem elektrischen Verhalten und deren Erzeugung zur Gasanalytik


Project Details
Project duration: 01/199812/2001


Abstract
Es sollen neuartige Feldeffektgassensoren für höhere Betriebstemperaturen entwickelt werden. Höhere Betriebstemperaturen versprechen eine Verbesserung der Sensitivität und des dynamischen Ansprechverhaltens der Sensoren. In der Arbeit sollen Halbleitermaterialien, die eine größere Bandlücke als Silicium (1,12 eV bei 300 K) vorweisen, eingesetzt werden, wie zum Beispiel Galliumphosphid (2,26 eV). Die größere Bandlücke ermöglicht höhere Betriebstemperaturen, GaAs wird erst oberhalb 270?C eigenleitend.

Es sollen n-Kanal- bzw. p-Kanal-GaAs-MESFETs (mit SnO2- beschichtetem Gate bzw. mit kathalytisch wirkenden SnO2 auf dem Kanal) auf semiisolierenden GaAs-Substrat aufgebaut werden. Bei üblichen GaAs-MESFETs kommt es aber bei Temperaturen über 120?C zu Leckströmen über das semiisolierende Substrat. Um diese Leckströme über das Substrat zu vermeiden, soll eine p- bzw. n-Bufferschicht zwischen dem eigentlichen Substrat und dem Kanalbereich eingebracht werden. Der an der Bufferschicht entstehende pn-Übergang verhindert jeglichen Stromfluß über das Substrat.
Für die entwicklten Feldeffektgassensoren soll ein Modell, welches die reinen Bauelementeigenschaftenund die Gasdetektionsmechanismen beschreibt, erstellt werden.


Principal Investigator


Publications

1999
1998
1998
1998

Last updated on 2017-11-07 at 14:50