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In situ Oberflächencharakterisierung zur Untersuchung der elementaren Mechanismen des Diamantwachstums mit Hilfe von FTIR- und STM-Messungen


Project Details
Project duration: 07/199507/1999


Abstract
Die Abhängigkeit der Schicht- und Oberflächeneigenschaften dünner Diamantschichten läßt sich gegenwärtig nur durch ex-situ Experimente nach erfolgter Abscheidung ermitteln. Im Hinblick auf die Lösung zahlreicher noch offener Probleme (z.B. Heteroepitaxie, Defektbildung) ist eine in-situ Charakterisierung jedoch wünschenswert. Allerdings schränken die extremen Bedingungen der Diamantabscheidung (hohe Temperaturen, aggressive Gasphase, hoher Druck) die Auswahl möglicher Charakterisierungsverfahren stark ein. Das gegenwärtige Projekt zielt auf die Entwicklung von in-situ Verfahren auf der Basis der Raster-Tunnel-Mikroskopie (Topographie, elektrische Eigenschaften auch im atomaren Maßstab) und der Infrarotspektroskopie (Schichtzusammensetzung, chemische Bindungen). Anschließend sollen diese Verfahren dann zur Lösung aktueller Probleme der Diamantabscheidung eingesetzt werden. Erste Messungen bzgl. der in-situ-STM zeigten dabei durchaus erfolgversprechende Ergebnisse.

Last updated on 2017-11-07 at 14:59