Aufsatz in einer Fachzeitschrift
Bright light emissions with narrow spectral linewidths from single InAs/GaAs quantum dots directly grown on silicon substrates



Details zur Publikation
Autor(inn)en:
Benyoucef, M.; Usman, M.; Reithmaier, J.
Verlag:
AMER INST PHYSICS
Publikationsjahr:
2013
Zeitschrift:
Applied Physics Letters
Seitenbereich:
132101
Abkürzung der Fachzeitschrift:
Appl. Phys. Lett.
Jahrgang/Band:
102
Seitenumfang:
4
ISSN:
0003-6951

Zusammenfassung, Abstract
High brightness light emissions from single InAs/GaAs quantum dots (QDs) epitaxially grown directly on silicon substrates are realized for the first time. The grown structures contain a low quantum dot density of about 10(8) cm(-2). Low-temperature spatially resolved photoluminescence (PL) measurements illustrate bright single QD emissions with relatively sharp excitonic lines comparable to PL spectra of near-surface QDs grown on GaAs substrates. (C) 2013 American Institute of Physics. [http://dx.doi.org/10.1063/1.4799149]


Autor(inn)en / Herausgeber(innen)

Zuletzt aktualisiert 2020-07-02 um 11:23