Beitrag in einem Tagungsband
Modification of "native" surface donor states in AlGaN/GaN MIS-HEMTs by fluorination: Perspective for defect engineering



Details zur Publikation
Autor(inn)en:
Reiner, M.; Lagger, P.; Prechtl, G.; Steinschifter, P.; Pietschnig, R.; Pogany, D.; Ostermaier, C.
Herausgeber:
IEEE
Verlag:
IEEE
Publikationsjahr:
2015
Seitenbereich:
35.5.1-35.5.4
Buchtitel:
2015 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
ISBN:
978-1-4673-9894-7



Autor(inn)en / Herausgeber(innen)

Zuletzt aktualisiert 2020-18-02 um 11:43