ohne Drittmittelfinanzierung
Strukturdesign und Materialentwicklung für langwellige Laserdioden im Wellenlängenbereich 1,6 - 2,5 ?m
Details zum Projekt
Projektlaufzeit: 02/1994–10/1997
Zusammenfassung
Hochwertige Laserdioden auf GaAlAs- und InGaAsP-Basis im Wellenlängenbereich bis 1,5 ?m sind heute kommerziell erhältlich. Für Anwendungen in Spektroskopie und Sensorik werden darüber hinaus einwellige und abstimmbare Laserdioden mit längeren Wellenlängen erforderlich.
In diesem Forschungsvorhaben soll einerseits das technologisch gut beherrschte Materialsystem InGaAsP (auf InP Substrat) hinsichtlich Erweiterung des Wellenlängenbereichs ausgereizt werden. Andererseits ist beabsichtigt, durch den bislang weniger erforschten Einsatz antimonhaltiger Verbindungshalbleiter den Wellenlängenbereich bis ca. 2,5 ?m für einwellige und abstimmbare Laserdioden zu erschließen.
