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'Quasi-monolithische' Integrationstechnik
Project Details
Project duration: 1994–12/2004
Abstract
Ziel ist zunächst die Realisierung einer quasi-monolithischen Aufbautechnik, d.h. das Einbringen einzelner GaAs-FET-Chips in einem hochresistiven Silizium-Substrat. Als Anwendung sollen miniaturisierte Chip-Testfassungen und die Wiederverwendung von hochgenau charakterisierten Einzelchips in einer MMIC-Schaltung realisiert werden. Anschließend sollder Prozess technologisch optimiert und für komplexere Schaltungen mit mehreren Transistoren und für Leistungsanwendungen erweitert werden.
