Aufsatz in einer Fachzeitschrift
Growth of cubic GaN on 3C--SiC/Si (001) nanostructures
Details zur Publikation
Autor(inn)en: | Kemper, R.; Hiller, L.; Stauden, T.; Pezoldt, J.; Duschik, K.; Niendorf, T.; Maier, H.; Meertens, D.; Tillmann, K.; As, D.; Lindner, J. |
Publikationsjahr: | 2013 |
Zeitschrift: | Journal of Crystal Growth |
Seitenbereich: | 291-294 |
Jahrgang/Band : | 378 |
ISSN: | 0022-0248 |
DOI-Link der Erstveröffentlichung: |
Schlagwörter
A1. Nanostructures, A1. Planar defects, A3. Molecular beam epitaxy, A3. Selective epitaxy, B1. Nitrides
