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Red AlGaInP-VECSEL emitting at around 665 nm: Strain compensation and performance comparison of different epitaxial designs
Details zur Publikation
Autor(inn)en: | Kahle, H. |
Herausgeber: | Panajotov, K.; Sciamanna, M.; Valle, A. & Michalzik, R. (Eds.) |
Verlag: | SPIE |
Verlagsort / Veröffentlichungsort: | Brussels, Belgium |
Publikationsjahr: | 2012 |
Zeitschrift: | Proceedings of SPIE |
Seitenbereich: | 843209 |
Buchtitel: | Semiconductor Lasers and Laser Dynamics V |
Bandnr.: | V |
Jahrgang/Band : | 8432 |
Seitenumfang: | 7 |
ISSN: | 0277-786X |
DOI-Link der Erstveröffentlichung: |
URN / URL: |
Sprachen: | Englisch |
Zusammenfassung, Abstract
Schlagwörter
AlGaInP, Laser, MOVPE, red emitting, semiconductor, strain-compensation, VECSEL
