without external funding
Strukturdesign und Materialentwicklung für langwellige Laserdioden im Wellenlängenbereich 1,6 - 2,5 ?m
Project Details
Project duration: 02/1994–10/1997
Abstract
Hochwertige Laserdioden auf GaAlAs- und InGaAsP-Basis im Wellenlängenbereich bis 1,5 ?m sind heute kommerziell erhältlich. Für Anwendungen in Spektroskopie und Sensorik werden darüber hinaus einwellige und abstimmbare Laserdioden mit längeren Wellenlängen erforderlich.
In diesem Forschungsvorhaben soll einerseits das technologisch gut beherrschte Materialsystem InGaAsP (auf InP Substrat) hinsichtlich Erweiterung des Wellenlängenbereichs ausgereizt werden. Andererseits ist beabsichtigt, durch den bislang weniger erforschten Einsatz antimonhaltiger Verbindungshalbleiter den Wellenlängenbereich bis ca. 2,5 ?m für einwellige und abstimmbare Laserdioden zu erschließen.
